0 Ваша Корзина

IPD50R1K4CE

IPD50R1K4CE Infineon - фото

Наведите на картинку для увеличения

65.00 Р
62.00 Р10+
60.00 Р25+
59966 шт.
Оптовые цены:
Кол-во 10+ 25+
Цена 62.00 Р 60.00 Р
+

Минимальное кол-во: 1.

10160893
Бренд:Infineon
Корпус:D-Pak (TO-252AA)
Норма упаковки:2 500
Код даты:21+

IPD50R1K4CE – Описание

МОП-транзистор IPD50R1K4CE

Устройство серии IPD50R1K4CE – мощный высоковольтный МОП-транзистор с технологией CoolMOS™ CE для применения в источниках питания. 

CoolMOS™ CE – это новая технологическая платформа для высоковольтных МОП-транзисторов Infineon, разработанных в соответствии с революционным принципом суперперехода (SJ). Линейка 500В CE имеет все преимущества быстродействующих МОП-транзисторов SJ. Как и вся серия CE, транзисторы IPD50R1K4CE обеспечивают чрезвычайно низкие потери и делают коммутационные решения более эффективными, компактными и легкими. При этом IPD50R1K4CE имеют лучшее соотношение цены и качества на рынке.

 Особенности:

  • Чрезвычайно низкие потери из-за очень малых FOM, Rdson, Qg и Eoss;
  • Очень высокая коммутационная прочность;
  • Простое управление режимом переключения;
  • Покрытие, не содержащее свинец;
  • Не содержащий галогенов компаунд корпуса;
  • Улучшенная эффективность при малой нагрузке;
  • Подходит для применения в бытовой аппаратуре;

Применение: 

Каскады PFC, каскады ШИМ с жесткой коммутацией и каскады резонансной коммутации, например, для PC Silverbox, адаптеров, ЖК- и PDP-телевизоров и внутреннего освещения. 

IPD50R1K4CE – Прикрепленные файлы

Datasheet (IPD50R1K4CE.pdf, 1,517 Kb) [Скачать]

IPD50R1K4CE – Характеристики

  • Наименование: IPD50R1K4CE;
  • Маркировка: 5R1K4CE;
  • Тип транзистора: MOSFET;
  • Тип проводимости: N;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 Вт;
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 В;
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В;
  • Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 3,5 В;
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3,1 A;
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C;
  • Общий заряд затвора (Qg): 8,2 нКл;
  • Время нарастания (tr): 6 нс;
  • Выходная емкость (Cd): 11 пФ;
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1,26 Ом;
  • Тип корпуса: ТО-252