0
Ваша Корзина
HKT02N10
Наведите на картинку для увеличения
HKT02N10 – Описание
Низковольтный n-канальный МОП-транзистор 100 В, 2 А, 1,2 Вт
Особенности:
- Низкое сопротивление в открытом состоянии
- VDS=100 В, RDS(ON)≤280 мОм при VGS=10 В, ID=2 A
- Для применения в маломощных DC/DC преобразователях
- Для применения в схемах переключения
- Для поверхностного монтажаНачало формы
HKT02N10 – Характеристики
Технические характеристики:
- Максимальное напряжение исток-сток: 100 В;
- Максимальное напряжение исток-затвор: ±20 В;
- Постоянный ток стока: 2 A;
- Мощность рассеяния: 1,2 Вт;
- Импульсный ток стока: 8 А;
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии: 0,28 Ом;
- Общий заряд затвора: 5,3 нКл;
- Время нарастания импульса открытия: 54 нс;
- Выходная емкость: 88 пФ;
- Рабочая температура:-55…150 °C;
- Корпус: SOT-23;
- Масса: 0,01 г
