tel +7 (495) 58-58-039

tel +7 (495) 58-58-059

tel +7 (495) 58-58-093

tel +7 (495) 150-09-11, (495) 150-09-22 tel tel +7 (495) 58-58-271

Санкт-Петербург: tel +7 (911) 22-643-66

RSS Twi Карта FAQ Поиск

Транзисторы

КТ815А  10г.  транзистор КТ819Б  07-10г.   транзистор КТ973Б   10г.  транзистор

История развития транзисторов

Рождение твердотельной электроники относят к 1833 году. Когда Майкл Фарадей экспериментируя с сульфидом серебра, обнаружил, что проводимость данного вещества растет с повышением температуры, хотя у металлов проводимость наоборот падает. Фарадей это явление объяснить не смог.

Появление транзистора в XX веке стало переворотным моментом в развитии электроники. Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году Юлием Эдгаром Лилиенфельдом. Немецкий физик Оскар Хейл в 1934 году запатентовал полевой транзистор.

Полевые транзисторы основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физическим процессам они проще биполярных транзисторов. Биполярные транзисторы появились гораздо позже полевых. Первый МОП транзистор был изготовлен в 1960 году. И только в 90-ых, во время стремительного компьютерного роста, МОП транзисторы получили массовое распространение и стали доминировать над биполярными.

В 1947 году Шокли, Барди и Браттейн создали действующий биполярный транзистор, который был продемонстрирован 16 декабря того же года. 23 декабря состоялась официальная демонстрация транзистора в действии, и эта дата считается днем изобретения транзистора.

Характеристики транзисторов, типы транзисторов

Транзистор - полупроводниковый электронный элемент, как правило, с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор построен на основе трехслойного кристалла с двумя близко расположенными pn-переходами.

В зависимости от типа проводимости различают два типа транзисторов: pnp и npn. Характеристики этих транзисторов отличаются только в проводимости.

Наиболее популярные модели и запросы:

  • полевой транзистор;
  • smd транзисторы;
  • параметры транзисторов;
  • 13001 транзистор;
  • igbt транзисторы;
  • маркировка транзисторов;
  • мощные полевые транзисторы;
  • маркировка smd транзисторов;
  • силовые транзисторы;
  • мощные транзисторы;
  • обозначение транзисторов;
  • транзистор 13003;
  • характеристики транзисторов;
  • mosfet транзисторы;
  • высоковольтные транзисторы;
  • зарубежные транзисторы;
  • транзисторы irf;
  • однопереходный транзистор;
  • транзистор кт315;
  • каталог транзисторов;
  • моп транзистор;
  • мдп транзистор.

Транзисторы для мощных радиопередающих систем

Транзисторы выпускаются по различным технологиям: биполярной, VDMOS и LDMOS. Биполярная технология широко применялась в 70-ых и на данный момент изучена и описана во многих литературных статьях. Технология VDMOS также широко распространена, транзисторы, изготовленные по этой технологии имеют ряд преимуществ над биполярными транзисторами, но больший интерес вызывает LDMOS технология нового поколения.

VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) - двухдиффузионная технология с вертикальной МОП-структурой. Эта технология обладает улучшенной термостабильностью и плотностью мощности транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами.

LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors) - смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния. Технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками по сравнению с биполярной технологией, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. На LDMOS технологии в настоящее время выпускается большинство мощных высокочастотных транзисторов.

Краткое меню
Корзина

Ваша корзина пока пуста


Вход для пользователей
Логин:
Пароль:

Регистрация


Обратный звонок
Организация, ФИО (обязательно)

Ваш телефон (обязательно)


Укажите ваше имя и контактный телефон.
Мы обязательно перезвоним вам!

Полезные файлы



Подписка на новости
Закажите новости на электронную почту

Политика безопасности подписки 


Наш адрес: ул. Краснобогатырская, д. 2, стр. 16
Дополнительный офис: ул. Сущевская, д. 21
Как к нам добраться: схемы проезда 
Call-центр: +7 (495) 150-09-11, +7 (495) 150-09-22
Тел.: +7 (495) 58-58-059, 58-58-039, 58-58-093, 58-58-271
Представитель в Санкт-Петербурге: +7 (911) 22-643-66
Прием заказов:
WhatsApp и Viber: +7 495 58-58-271
Техн. поддержка: